Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 3.0744 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FQB12P20TM
Codice DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB12P20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB12P20TM
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 200 V 11,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQB12P20TM Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 120W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB12P20
RDSon (max) a Id, Vgs 470mohm a 5,75A, 10V