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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,02000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,65000
Scheda tecnica
Canale P 200 V 11 A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale P 200 V 11 A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHF9640S-GE3

Codice DigiKey
742-SIHF9640S-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIHF9640S-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 200 V 11 A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
44 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1200 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 125W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
500mohm a 6,6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRF9640SPBFVishay Siliconix0IRF9640SPBF-ND€ 4,02000Equivalente parametrico
IRF9640STRLPBFVishay Siliconix0IRF9640STRLPBFCT-ND€ 2,65000Equivalente parametrico
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,82457€ 824,57
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,82457
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,00598