


FQB12P20TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQB12P20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB12P20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQB12P20TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 200 V 11,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB12P20TM Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 470mohm a 5,75A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1200 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,13W (Ta), 120W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,37000 | € 2,37 |
| 10 | € 1,53400 | € 15,34 |
| 100 | € 1,05580 | € 105,58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 0,80510 | € 644,08 |
| 1 600 | € 0,74658 | € 1 194,53 |
| 2 400 | € 0,71677 | € 1 720,25 |
| 4 000 | € 0,70442 | € 2 817,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,89140 |







