FDD8876 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDD8876
Codice DigiKey	FDD8876TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD8876CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD8876DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD8876
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 15 A (Ta), 73 A (Tc) 70W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 47 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Ta), 73 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD887
RDSon (max) a Id, Vgs 8,2mohm a 35A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	91 302	IPD090N03LGATMA1CT-ND	€ 1,11000	Simile
IPD30N03S4L09ATMA1	Infineon Technologies	20 684	IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND	€ 1,26000	Simile
IPD40N03S4L08ATMA1	Infineon Technologies	9 247	IPD40N03S4L08ATMA1-ND	€ 0,77341	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,07400

FDD8876