Name: FCD900N60Z
Brand: onsemi
SKU: FCD900N60ZTR-ND
Price: 2.7572 EUR
Availability: InStock

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FCD900N60Z
Codice DigiKey	FCD900N60ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCD900N60ZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCD900N60ZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCD900N60Z
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 4,5 A (Tc) 52W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie SuperFET® II	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 720 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCD900
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,3A, 10V

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Sostituti (11)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AOD4S60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	92	785-1265-1-ND	€ 1,87000	Simile
IPD80R1K0CEATMA1	Infineon Technologies	4 234	IPD80R1K0CEATMA1CT-ND	€ 1,84000	Simile
PJMD900N60EC_L2_00001	Panjit International Inc.	5 830	3757-PJMD900N60EC_L2_00001CT-ND	€ 1,10000	Simile
STB7ANM60N	STMicroelectronics	726	497-13935-1-ND	€ 2,05000	Simile
STD7ANM60N	STMicroelectronics	192	497-13940-1-ND	€ 2,00000	Simile