Name: PJMD900N60EC_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJMD900N60EC_L2_00001TR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

Canale N 600 V 5 A (Tc) 47,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

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PJMD900N60EC_L2_00001
Codice DigiKey	3757-PJMD900N60EC_L2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJMD900N60EC_L2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJMD900N60EC_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJMD900N60EC_L2_00001
Descrizione	600V SUPER JUNCTION MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 5 A (Tc) 47,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 310 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 47,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,3A, 10V	Codice componente base PJMD900

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 1,10000	€ 1,10
10	€ 0,68800	€ 6,88
100	€ 0,45230	€ 45,23
500	€ 0,35134	€ 175,67
1 000	€ 0,31881	€ 318,81

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,27224	€ 816,72

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,34200

PJMD900N60EC_L2_00001

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