Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K0CEATMA1TR-ND
Price: 2.6108 EUR
Availability: InStock

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IPD80R1K0CEATMA1
Codice DigiKey	IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD80R1K0CEATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD80R1K0CEATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 785 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD80R1
RDSon (max) a Id, Vgs 950mohm a 3,6A, 10V