


IPD80R1K0CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R1K0CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 950mohm a 3,6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 785 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,74000 | € 1,74 |
| 10 | € 1,11100 | € 11,11 |
| 100 | € 0,75050 | € 75,05 |
| 500 | € 0,59620 | € 298,10 |
| 1 000 | € 0,56070 | € 560,70 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,47811 | € 1 195,27 |
| 5 000 | € 0,45809 | € 2 290,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,12280 |








