Name: PSMN1R4-100ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R4-100ASEJTR-ND
Price: 10.3212 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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PSMN1R4-100ASEJ
Codice DigiKey	1727-PSMN1R4-100ASEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R4-100ASEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R4-100ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R4-100ASEJ
Descrizione	N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 340 A (Tc) 935W (Tc) A montaggio superficiale CCPAK1212
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	340 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,36mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	366 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	26023 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	935W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	CCPAK1212
Contenitore/involucro	12-BESOP (larghezza 0,370", 9,40mm), piazzola esposta