Name: PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND
Price: 8.9304 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R2-80ASEJ
Codice DigiKey	1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R2-80ASEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R2-80ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R2-80ASEJ
Descrizione	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) A montaggio superficiale CCPAK1212
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 350 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 26187 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 935W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 375A (Ta)	Contenitore del fornitore CCPAK1212
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 12-BESOP (larghezza 0,370", 9,40mm), piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 1,18mohm a 25A, 10V