Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 3.9162 EUR
Availability: InStock

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FDMS86163P
Codice DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86163PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86163P
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 7,9 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86163P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,9 A (Ta), 50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 7,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4085 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS86163