Name: EPC2367
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2367TR-ND
Price: 7.259 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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EPC2367
Codice DigiKey	917-EPC2367TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-EPC2367CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-EPC2367DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2367
Descrizione	TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 78A (Tj) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-QFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	78A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2mohm a 30A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2170 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	5-QFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	5-PowerWQFN