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BUK9608-55A,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-6218-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK9608-55A,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 75 A (Tc) 253W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 92 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6021 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 253W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore D2PAK |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 25A, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | 321 | 1727-4711-1-ND | € 2,70000 | Simile |
| HUF75345S3ST | onsemi | 1 881 | HUF75345S3STCT-ND | € 6,95000 | Simile |
| IPB081N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | 5 302 | IPB081N06L3GATMA1CT-ND | € 2,13000 | Simile |
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB090N06N3GATMA1CT-ND | € 1,95000 | Simile |
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 103 | IRF1010ZSTRLPBFCT-ND | € 3,09000 | Simile |







