Name: IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3GATMA1TR-ND
Price: 1.9276 EUR
Availability: OutOfStock

Serve aiuto?

Commenti

DigiKey Marketplace Vendi su DigiKey.com Lavora con noi Mappa del sito Soluzioni digitali Redazione

Assistenza Stato ordine Tariffe di spedizione/Opzioni Resi e problemi con l'ordine

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-navigazione

IPB090N06N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB090N06N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB090N06N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB090N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB090N06N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB090N06N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 34µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2900 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB090

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,92760

IPB090N06N3GATMA1