Canale N, modalità depletion 500 V 30mA (Tj) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SOT-89-3
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LND150N8-G

Codice DigiKey
LND150N8-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
LND150N8-GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
LND150N8-GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
LND150N8-G
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Tempi di consegna standard del produttore
14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 500 V 30mA (Tj) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SOT-89-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
LND150N8-G Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
1000ohm a 500µA, 0V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Contenitore del fornitore
SOT-89-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 12 399
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,68000€ 0,68
25€ 0,56360€ 14,09
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 0,51402€ 1 028,04
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,68000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,82960