Name: LND150K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150K1-GTR-ND
Price: 0.5124 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

LND150K1-G
Codice DigiKey	LND150K1-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) LND150K1-GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) LND150K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	LND150K1-G
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	LND150K1-G Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1000ohm a 500µA, 0V
Produttore Microchip Technology	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13mA (Tj)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V	Codice componente base LND150