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IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTY1R6N100D2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTY1R6N100D2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IXTY1R6N100D2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 5 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 645 pF @ 25 V |
Confezionamento Tubo | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tecnologia | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10ohm a 800mA, 0V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | € 0,55102 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,67000 | € 4,67 |
| 70 | € 2,32500 | € 162,75 |
| 140 | € 2,12579 | € 297,61 |
| 560 | € 1,81738 | € 1 017,73 |
| 1 050 | € 1,70915 | € 1 794,61 |
| 2 030 | € 1,61534 | € 3 279,14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,69740 |
