Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R6N100D2

Codice DigiKey
238-IXTY1R6N100D2-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY1R6N100D2
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IXTY1R6N100D2 Modelli
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Tipo
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
RDSon (max) a Id, Vgs
10ohm a 800mA, 0V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
645 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,96000€ 3,96
70€ 1,95300€ 136,71
140€ 1,78207€ 249,49
560€ 1,51743€ 849,76
1 050€ 1,42455€ 1 495,78
2 030€ 1,41525€ 2 872,96
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,96000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,83120