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AOD2N100 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AOD2N100-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOD2N100 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1000 V 2 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 580 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9ohm a 1A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXTY1R4N100P | IXYS | 0 | IXTY1R4N100P-ND | € 1,68094 | Simile |
| IXTY1R6N100D2 | IXYS | 0 | 238-IXTY1R6N100D2-ND | € 4,67000 | Simile |
| STD2NK100Z | STMicroelectronics | 0 | 497-7964-1-ND | € 2,76000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,55102 | € 1 377,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,55102 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,67224 |
