Name: IXTY1R6N100D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND
Price: 2.42792 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2-TRL
Codice DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTY1R6N100D2-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 100µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 5 V
Serie Depletion	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 645 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Tj)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V	Codice componente base IXTY1
RDSon (max) a Id, Vgs 10ohm a 800mA, 0V