Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY01N100D

Codice DigiKey
238-IXTY01N100D-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY01N100D
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 25µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.8 nC @ 5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
100 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
1,1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
80ohm a 50mA, 0V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 9 997
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,99000€ 4,99
70€ 2,49814€ 174,87
140€ 2,28671€ 320,14
560€ 1,95936€ 1 097,24
1 050€ 1,84451€ 1 936,74
2 030€ 1,76020€ 3 573,21
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,08780