Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY01N100D

Codice DigiKey
238-IXTY01N100D-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY01N100D
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
RDSon (max) a Id, Vgs
80ohm a 50mA, 0V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,23000€ 4,23
70€ 2,09157€ 146,41
140€ 1,91071€ 267,50
560€ 1,63064€ 913,16
1 050€ 1,53757€ 1 614,45
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,16060