Name: IXTY01N100D-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY01N100D-TRLTR-ND
Price: 6.0878 EUR
Availability: InStock

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IXTY01N100D-TRL
Codice DigiKey	238-IXTY01N100D-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTY01N100D-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTY01N100D-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTY01N100D-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 25µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.8 nC @ 5 V
Serie Depletion	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 100 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 400mA (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V	Codice componente base IXTY01
RDSon (max) a Id, Vgs 80ohm a 50mA, 0V