Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
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IXTA1R6N100D2HV

Codice DigiKey
238-IXTA1R6N100D2HV-ND
Produttore
Codice produttore
IXTA1R6N100D2HV
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 100µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
645 pF @ 10 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-263HV
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
10ohm a 800mA, 0V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 2 084
Scorte di fabbrica: 1 300
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,50000€ 6,50
50€ 3,49220€ 174,61
100€ 3,20190€ 320,19
500€ 2,69360€ 1 346,80
1 000€ 2,53049€ 2 530,49
2 000€ 2,51039€ 5 020,78
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,93000