Name: SSM3J15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FULFTR-ND
Price: 0.2196 EUR
Availability: InStock

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SSM3J15FU,LF
Codice DigiKey	SSM3J15FULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J15FULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J15FU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale USM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J15FU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	12ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1,7V a 100µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9.1 pF @ 3 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	USM
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	SSM3J15

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Nastrato in bobina (TR)