Name: SPD30P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD30P06PGBTMA1TR-ND
Price: 2.0008 EUR
Availability: InStock

Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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SPD30P06PGBTMA1
Codice DigiKey	SPD30P06PGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPD30P06PGBTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPD30P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD30P06PGBTMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD30P06PGBTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1535 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Stato componente Data di acquisto finale	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 21,5A, 10V	Codice componente base SPD30P06
Vgs(th) max a Id 4V a 1,7mA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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