Name: SPD30P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD30P06PGATMA1TR-ND
Price: 2.5254 EUR
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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SPD30P06PGATMA1
Codice DigiKey	448-SPD30P06PGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-SPD30P06PGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-SPD30P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD30P06PGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-311

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1,7mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Serie SIPMOS®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1535 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-311
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 21,5A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,52540

SPD30P06PGATMA1