Name: SPD15P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD15P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 2.6108 EUR
Availability: InStock

Canale P 100 V 15 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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SPD15P10PLGBTMA1
Codice DigiKey	SPD15P10PLGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPD15P10PLGBTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPD15P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD15P10PLGBTMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 15 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD15P10PLGBTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	200mohm a 11,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 1,54mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1490 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	128W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SPD15P10

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