Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 1.3542 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 18 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-32

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IAUZ18N10S5L420ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 18 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-32
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ18N10S5L420ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 470 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-32
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 42mohm a 9A, 10V	Codice componente base IAUZ18
Vgs(th) max a Id 2,2V a 8µA