Name: SPD08P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD08P06PGBTMA1TR-ND
Price: 1.2932 EUR
Availability: InStock

Canale P 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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SPD08P06PGBTMA1
Codice DigiKey	SPD08P06PGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPD08P06PGBTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD08P06PGBTMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD08P06PGBTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,83 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6,2V
RDSon (max) a Id, Vgs	300mohm a 10A, 6,2V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	420 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SPD08P06

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