Canale P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD09P06PLGBTMA1

Codice DigiKey
SPD09P06PLGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SPD09P06PLGBTMA1
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SPD09P06PLGBTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
250mohm a 6,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
450 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SPD09P06
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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5 000€ 0,29421€ 1 471,05
7 500€ 0,28196€ 2 114,70
12 500€ 0,26819€ 3 352,38
17 500€ 0,26004€ 4 550,70
25 000€ 0,25213€ 6 303,25
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,38828
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