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SPB10N10L G è fuori produzione e non è più distribuito da DigiKey.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SPB10N10L G | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPB10N10LGINTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SPB10N10L G |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Fuori produzione presso DigiKey | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 154mohm a 8,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 21µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 444 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Fuori produzione
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 0,44885 | € 448,85 |
| 2 000 | € 0,41319 | € 826,38 |
| 3 000 | € 0,39502 | € 1 185,06 |
| 5 000 | € 0,37462 | € 1 873,10 |
| 7 000 | € 0,36254 | € 2 537,78 |
| 10 000 | € 0,36210 | € 3 621,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,44885 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,54760 |
Italia