Canale N 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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SPB10N10LG

Codice DigiKey
2156-SPB10N10LG-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SPB10N10LG
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
154mohm a 8,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 21µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
444 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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