Canale N 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF520NSPBF

Codice DigiKey
IRF520NSPBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF520NSPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRF520NSPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
200mohm a 5,7A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
330 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 48W (Tc)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

0 in magazzino
A causa dei problemi con le forniture, non siamo in grado di accettare ordini arretrati e i tempi di consegna non sono disponibili al momento. Visualizza Tipi di contenitori alternativi.
Non annullabile/Non restituibile