IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRLMS2002TRPBF
Codice DigiKey	IRLMS2002PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLMS2002PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLMS2002PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLMS2002TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(SOT23-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLMS2002TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1310 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore Micro6™(SOT23-6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base IRLMS2002
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 6,5A, 4,5V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMG6402LVT-7	Diodes Incorporated	177	DMG6402LVT-7DICT-ND	€ 0,41000	Simile
RUQ050N02TR	Rohm Semiconductor	2 782	RUQ050N02CT-ND	€ 1,02000	Simile
STT5N2VH5	STMicroelectronics	10 626	497-STT5N2VH5CT-ND	€ 0,74000	Simile