Name: DMG6402LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6402LVT-7DITR-ND
Price: 0.5002 EUR
Availability: InStock

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DMG6402LVT-7
Codice DigiKey	DMG6402LVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG6402LVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG6402LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG6402LVT-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6 A (Ta) 1,75W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 498 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,75W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore TSOT-26
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 7A, 10V	Codice componente base DMG6402

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	1 993	IRLMS2002PBFCT-ND	€ 0,79000	Simile
SI3456DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	104 837	SI3456DDV-T1-GE3CT-ND	€ 0,50000	Simile

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,50020

DMG6402LVT-7