STT5N2VH5 STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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STT5N2VH5
Codice DigiKey	497-STT5N2VH5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STT5N2VH5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STT5N2VH5
Descrizione	MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5A (Tj) 1,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STT5N2VH5 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA (min)
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Serie STripFET™ V	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 367 pF @ 16 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5A (Tj)	Contenitore/involucro SOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base STT5N2
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 2A, 4,5V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	1 993	IRLMS2002PBFCT-ND	€ 0,79000	Simile

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,17617	€ 528,51
6 000	€ 0,16168	€ 970,08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,90280

STT5N2VH5