IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRL3705ZSTRLPBF
Codice DigiKey	IRL3705ZSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRL3705ZSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRL3705ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRL3705ZSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 75 A (Tc) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRL3705ZSTRLPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 52A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	60 nC @ 5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2880 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRL3705

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