Name: IRLS3036TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS3036TRLPBFTR-ND
Price: 5.4778 EUR
Availability: InStock

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IRLS3036TRLPBF
Codice DigiKey	IRLS3036TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLS3036TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLS3036TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLS3036TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 195 A (Tc) 380W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLS3036TRLPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11210 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 195 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLS3036
RDSon (max) a Id, Vgs 2,4mohm a 165A, 10V