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Canale N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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IRF3205SPBF

Codice DigiKey
IRF3205SPBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRF3205SPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
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IRF3205SPBF Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
8mohm a 62A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
146 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3247 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (13)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB081N06L3GATMA1Infineon Technologies5 302IPB081N06L3GATMA1CT-ND€ 1,83000Simile
IPB090N06N3GATMA1Infineon Technologies0IPB090N06N3GATMA1CT-ND€ 1,67000Simile
BUK7610-55AL,118Nexperia USA Inc.4 5991727-BUK7610-55AL,118CT-ND€ 3,58000Simile
BUK9608-55B,118Nexperia USA Inc.3211727-4711-1-ND€ 2,70000Simile
HUF75345S3STonsemi1 881HUF75345S3STCT-ND€ 6,95000Simile
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