BUK7610-55AL,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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BUK7610-55AL,118
Codice DigiKey	1727-BUK7610-55AL,118TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-BUK7610-55AL,118CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK7610-55AL,118
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 75 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 124 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6280 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 25A, 10V	Codice componente base BUK7610
Vgs(th) max a Id 4V a 1mA

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Sostituti (13)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB141NF55	STMicroelectronics	0	STB141NF55-ND	€ 1,16487	Diretto
IRF1010NSTRLPBF	Infineon Technologies	1 570	IRF1010NSTRLPBFCT-ND	€ 2,69000	Simile
IRF1010ZSTRLPBF	Infineon Technologies	103	IRF1010ZSTRLPBFCT-ND	€ 3,09000	Simile
IRF1405STRLPBF	Infineon Technologies	1 416	IRF1405STRLPBFCT-ND	€ 3,59000	Simile
IRF3205STRLPBF	Infineon Technologies	1 425	IRF3205STRLPBFCT-ND	€ 2,55000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,36760

BUK7610-55AL,118