IRF1407STRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRF1407STRLPBF
Codice DigiKey	IRF1407STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1407STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF1407STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1407STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 250 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5600 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF1407
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 78A, 10V

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Sostituti (14)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF3808STRLPBF	Infineon Technologies	1 184	IRF3808STRLPBFCT-ND	€ 4,27000	Consigliato dal produttore
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