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IPB100N08S207ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB100N08S207ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB100N08S207ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB100N08S207ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4700 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 75 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUC100N08S5N043ATMA1 | Infineon Technologies | 15 484 | 448-IAUC100N08S5N043ATMA1CT-ND | € 2,53000 | Consigliato dal produttore |
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | 1 606 | IRF1407STRLPBFCT-ND | € 2,98000 | Simile |
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | 448 | 448-IRFS3307ZTRRPBFCT-ND | € 3,82000 | Simile |
| BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7189-1-ND | € 1,26909 | Simile |
| PSMN5R0-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | 4 212 | 1727-PSMN5R0-80BS,118CT-ND | € 3,36000 | Simile |
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