Name: IPTC068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC068N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 8.8084 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IPTC068N20NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPTC068N20NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTC068N20NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTC068N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTC068N20NM6ATMA1
Descrizione	IPTC068N20NM6ATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 15,2A (Ta), 140A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-U04
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPTC068N20NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15,2A (Ta), 140A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,25mohm a 126A, 15V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 251µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7300 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-16-U04
Contenitore/involucro	Modulo 16-PowerSOP