Name: IPDQ60R007CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R007CM8XTMA1TR-ND
Price: 26.4496 EUR
Availability: InStock

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IPDQ60R007CM8XTMA1
Codice DigiKey	448-IPDQ60R007CM8XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPDQ60R007CM8XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPDQ60R007CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPDQ60R007CM8XTMA1
Descrizione	IPDQ60R007CM8XTMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 288A (Tc) 1,249kW (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPDQ60R007CM8XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 100A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,7V a 3,24mA
Serie CoolMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 370 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16385 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,249kW (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 288A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP