Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 5.3436 EUR
Availability: InStock

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GT100N20TT
Codice DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT100N20TT
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 130 A (Tc) 280W (Tc) A montaggio superficiale TOLT
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 40A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 76 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 130 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLT
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP