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IPG20N10S4L35ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N10S4L35ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 20A 43W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N10S4L35ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,1V a 16µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17,4nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1105pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 43W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4 |
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 17A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 5 975
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,80000 | € 1,80 |
| 10 | € 1,15100 | € 11,51 |
| 100 | € 0,77690 | € 77,69 |
| 500 | € 0,61676 | € 308,38 |
| 1 000 | € 0,56525 | € 565,25 |
| 2 000 | € 0,54004 | € 1 080,08 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,47509 | € 2 375,45 |
| 10 000 | € 0,44615 | € 4 461,50 |
| 15 000 | € 0,44120 | € 6 618,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,80000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,19600 |
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