
IPG20N10S4L35AATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N10S4L35AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 20A 43W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N10S4L35AATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 20A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 35mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 16µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17,4nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1105pF a 25V | |
Potenza - Max | 43W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale, fianchi impregnabili | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-10 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,71000 | € 1,71 |
| 10 | € 1,08900 | € 10,89 |
| 100 | € 0,73540 | € 73,54 |
| 500 | € 0,58380 | € 291,90 |
| 1 000 | € 0,54656 | € 546,56 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,44960 | € 2 248,00 |
| 10 000 | € 0,44653 | € 4 465,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,08620 |





