Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 2.3058 EUR
Availability: InStock

IPD60N10S412ATMA1
Codice DigiKey	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD60N10S412ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD60N10S412ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12,2mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 46µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2470 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-313
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD60N10

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,30580

IPD60N10S412ATMA1