
IPD50N10S3L16ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD50N10S3L16ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N10S3L16ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 15mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 60µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 64 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4180 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,56000 | € 2,56 |
| 10 | € 1,66000 | € 16,60 |
| 100 | € 1,14250 | € 114,25 |
| 500 | € 0,92116 | € 460,58 |
| 1 000 | € 0,87338 | € 873,38 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,77302 | € 1 932,55 |
| 5 000 | € 0,72547 | € 3 627,35 |
| 7 500 | € 0,71355 | € 5 351,62 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,56000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,12320 |






