Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
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IPD60N10S4L12ATMA1

Codice DigiKey
IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPD60N10S4L12ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD60N10S4L12ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 46µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3170 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-313
Contenitore/involucro
Codice componente base
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In magazzino: 42 013
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,93000€ 1,93
10€ 1,23100€ 12,31
100€ 0,83280€ 83,28
500€ 0,66206€ 331,03
1 000€ 0,60715€ 607,15
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,48300€ 1 207,50
5 000€ 0,46422€ 2 321,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,93000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,35460