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IPD50N10S3L16ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50N10S3L16ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50N10S3L16ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N10S3L16ATMA2 |
Descrizione | MOSFET_(75V 120V( |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N10S3L16ATMA2 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 15mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 60µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 64 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4180 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 2 483
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,40000 | € 2,40 |
| 10 | € 1,55200 | € 15,52 |
| 100 | € 1,06780 | € 106,78 |
| 500 | € 0,87338 | € 436,69 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,72244 | € 1 806,10 |
| 5 000 | € 0,71354 | € 3 567,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,92800 |
Italia