Name: IPD25CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25CN10NGATMA1TR-ND
Price: 1.8056 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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IPD25CN10NGATMA1
Codice DigiKey	IPD25CN10NGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD25CN10NGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD25CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD25CN10NGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD25CN10NGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 39µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2070 pF @ 50 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD25CN10
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 35A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD180N10N3GATMA1	Infineon Technologies	4 903	IPD180N10N3GATMA1CT-ND	€ 1,54000	Consigliato dal produttore
AOD4126	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	4 043	785-1215-1-ND	€ 1,52000	Simile
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